二氧化碳缓冲硅片打孔装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200910083506.2
IPC分类号：C23F1/12
申请日期：
2009-05-06
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	二氧化碳缓冲硅片打孔装置
申请号	CN200910083506.2	申请日期	2009-05-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-10	公开/公告号	CN101880880A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/12 气态组合物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	景玉鹏;惠瑜
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置和后级泵分别连接于真空腔室，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器进入混合器，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器进入混合器，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器中进行混合，混合气体依次通过减压阀和喷头进入真空腔室，然后经过掩蔽板的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架上的硅片进行打孔。本发明设备简单、刻蚀速率快、侧壁光滑度好、选择比大，实现了对硅片的打孔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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