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一种采用超临界水去除光刻胶的系统

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201020125723.1
  • IPC分类号:G03F7/42
  • 申请日期:
    2010-03-05
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种采用超临界水去除光刻胶的系统
申请号CN201020125723.1申请日期2010-03-05
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/42IPC分类号G;0;3;F;7;/;4;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园F3 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡影速半导体科技有限公司当前权利人无锡影速半导体科技有限公司
发明人王磊;景玉鹏
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本实用新型公开了一种采用超临界水去除光刻胶的系统。在半导体技术发展到32nm节点之后,去除高剂量注入的光刻胶是清洗工业面临的重要工艺挑战之一。将超纯水加热加压到临界温度和压力以上,便生成了超临界水。超临界水具有极强的氧化能力,可以去除注入硬化的光刻胶。该系统属于一种湿法-干法相结合的清洗方式,与底层硅表面的兼容性很好,对注入表面的硅原子损耗较低。也能去除特别小的注入光刻胶图形,而且不会引入损伤。

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