半导体结构的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010188028.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/60;H01L23/525;H01L23/485
申请日期：
2010-05-26
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构的制造方法
申请号	CN201010188028.4	申请日期	2010-05-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-30	公开/公告号	CN102263011A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	牛建礼;赵金强;周国平;杨瑞
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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