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一种高温SOI器件中金属互联的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211150532.4
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/498;H01L23/544
  • 申请日期:
    2022-09-21
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第五十八研究所
著录项信息
专利名称一种高温SOI器件中金属互联的制作方法
申请号CN202211150532.4申请日期2022-09-21
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-12-02公开/公告号CN115424979A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所申请人地址
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第五十八研究所当前权利人中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人李金航;纪旭明;赵晓松;张庆东;谢儒彬;郑良晨;顾祥;洪根深
代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨立秋
摘要
本发明公开一种高温SOI器件中金属互联的制作方法,属于半导体工艺领域。在待加工器件的表面依次生长刻蚀停止层和金属间介质层;涂覆光刻胶层,刻蚀形成金属开孔区;在表面淀积金属互联层,金属互联层由阻挡层和钨金属层组成;研磨金属互联层至露出金属间介质层,在表面淀积钝化层;在钝化层上方涂覆光刻胶层,刻蚀制作引线区。本发明针对性开发了高温钨金属互联工艺,使得本发明的标准电迁移测试结构在高温下的寿命为传统铝工艺的数倍,提升了器件可靠性与使用寿命;通过刻蚀金属间介质层、淀积金属实现倒梯形金属互联结构,能够与0.15um高温SOI CMOS前端工艺技术兼容,不需要更改前端器件工艺设计,降低了工艺开发成本。

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