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基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980150571.0
  • IPC分类号:C23F4/00
  • 申请日期:
    2009-01-16
  • 申请人:
    日新电机株式会社
著录项信息
专利名称基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法
申请号CN200980150571.0申请日期2009-01-16
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-11-16公开/公告号CN102245812A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23F4/00IPC分类号C;2;3;F;4;/;0;0查看分类表>
申请人日新电机株式会社申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日新电机株式会社当前权利人日新电机株式会社
发明人大丸智弘;三上隆司
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;张会华
摘要
本发明提供基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法。该基材蚀刻机构用于真空处理装置,该真空处理装置在真空室内放出电子并将所导入的气体离子化,对载置在设于真空室内的旋转台上的基材进行蚀刻而进行清洁净化,其中,该基材蚀刻机构具有:一对电力导入端子,其用于向作为电子源的丝极导入电力;多根丝极,其并联连接在一对电力导入端子之间。在该基材蚀刻机构中,多根丝极在与旋转台的旋转轴线正交的平面内沿与旋转轴线方向正交的方向配置。该真空处理装置使用上述蚀刻机构。该基材蚀刻方法使用上述基材蚀刻机构、真空处理装置。

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