首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

氮化硅烧结体及其制造方法、以及层叠体及电力模组

发明专利有效专利

申请号：
CN202080022624.7
IPC分类号：H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;C04B35/584
申请日期：
2020-03-26
申请人：
电化株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化硅烧结体及其制造方法、以及层叠体及电力模组
申请号	CN202080022624.7	申请日期	2020-03-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-05	公开/公告号	CN113614910A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;4查看分类表>
申请人	电化株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电化株式会社	当前权利人	电化株式会社
发明人	岩切翔二;武田真;高田真一
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	牛蔚然

摘要

本发明提供氮化硅烧结体的制造方法，其具有对包含氮化硅的原料粉末进行成型并烧成的工序，原料粉末中包含的氮化硅的α化率为30质量％以下。氮化硅烧结体的热导率(20℃)超过100W/m·K，断裂韧性(KIC)为7.4MPa·m1/2以上。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供