一种基于GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的异质结热光伏电池

发明专利无效专利

申请号：
CN200910066784.7
IPC分类号：H01L31/042;H01L31/072;H01L31/0304;H01L31/02;H01L31/0224
申请日期：
2009-04-09
申请人：
吉林大学

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专利名称	一种基于GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的异质结热光伏电池
申请号	CN200910066784.7	申请日期	2009-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-02	公开/公告号	CN101521238
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/042 单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;4;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	吉林大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区前进大街2699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林大学	当前权利人	吉林大学
发明人	彭新村;张宝林;郭欣;董鑫;赵晓薇;郑伟;杜国同
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	张景林;刘喜生

摘要

本发明属于热光伏技术领域，具体涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池，由下至上依次包括背电极、N型衬底、N型宽禁带Gax1In1-x1As1-y1Sby1有源层、轻掺杂的P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2有源层、重掺杂的P+型宽禁带Gax3In1-x3As1-y3Sby3限制层和栅条形上电极。进一步，在P+型宽禁带限制层和栅条形上电极间增加P型GaSb窗口钝化层，在N型衬底和N型宽禁带有源层间增加N型GaSb背面限制层。应用于低温辐射器热光伏系统的热光伏电池，稳定性好，安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域。

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