DRAM虚焊的检测方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710316239.3
IPC分类号：G11C29/08;G11C29/18
申请日期：
2017-05-08
申请人：
珠海全志科技股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	DRAM虚焊的检测方法及装置
申请号	CN201710316239.3	申请日期	2017-05-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108877867A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;0;8;;;G;1;1;C;2;9;/;1;8查看分类表>
申请人	珠海全志科技股份有限公司	申请人地址	广东省珠海市高新区唐家湾镇科技二路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	珠海全志科技股份有限公司	当前权利人	珠海全志科技股份有限公司
发明人	陈派林
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	郑小粤;李双皓

摘要

本发明涉及一种DRAM虚焊的检测方法，包括：向待测试的DRAM颗粒的预设参考页面与待检测页面内写入相同的初始数据；将预设参考页面中的初始数据按预设长度分为依次排列的多组参考数据，在待检测行地址线对应的待检测页面中，按所述预设长度将待检测页面中的数据分为依次排列的多组待检测数据；依次交替读取一组参考数据与一组待检测数据，并对每次读取的所述参考数据与待检测数据进行对比运算，将每次的对比结果依次记录在错误标记值中；根据错误标记值判断DRAM颗粒是否存在虚焊。本发明还涉及一种检测装置。上述DRAM虚焊的检测方法及装置只针对页的一部分空间进行操作，而非针对整个页空间进行操作，效率较高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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