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半导体器件的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110258208.3
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L27/11521
  • 申请日期:
    2021-03-09
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的制备方法
申请号CN202110258208.3申请日期2021-03-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-04公开/公告号CN112908857A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人杨辉;陈宏;王卉
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周耀君
摘要
本发明提供一种半导体器件的制备方法,包括:先形成第一沟槽,然后形成位于第一沟槽的侧壁上至少且从栅间介质层的侧壁延伸到部分第一氮化层的侧壁上的第二氮化层。去除第一沟槽底壁暴露出的浮栅层,以在浮栅层中形成第二沟槽。对第二氮化层进行侧向刻蚀,以减薄第二氮化层,使第二氮化层的底部能暴露出部分浮栅层的顶部拐角。形成隧穿介质层,且至少覆盖第二沟槽中的浮栅层被暴露的表面。最后形成字线,以填充第一沟槽和第二沟槽。因此,本发明无需单独形成氧化层来形成浮栅的拐角,仅需通过减薄第二氮化层的方式即可实现。不仅能通过增加浮栅层和字线之间的相对覆盖面积来提高器件擦除性能,还精简制备流程,工艺简单,降低时间成本和经济成本。

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