半导体封装装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110546148.5
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
申请日期：
2021-05-19
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装装置及其制造方法
申请号	CN202110546148.5	申请日期	2021-05-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113380747A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	吕文隆
代理机构	北京植德律师事务所	代理人	唐华东

摘要

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一线路层，第一线路层的第一表面设置有至少两个导电衬垫，每个导电衬垫的表面具有凹陷结构，凹陷结构的底部具有水平部，各导电衬垫对应的水平部位于同一水平面。在该半导体封装装置及其制造方法中，第一线路层上的导电衬垫具有凹陷结构，各个凹陷结构底部的水平部位于同一水平面，可通过凹陷结构的水平部与第二线路层表面的导电突起电连接，消除了第一线路层上导电衬垫的厚度不一致所带来的影响，避免了厚度不一致引起的各种连接问题，有利于提高产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供