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纵向可集成功率器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201910171878.4
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
申请日期：
2019-03-07
申请人：
电子科技大学

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	纵向可集成功率器件
申请号	CN201910171878.4	申请日期	2019-03-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-19	公开/公告号	CN110034175A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	李俊宏;胡斌;刘奎方
代理机构	成都惠迪专利事务所（普通合伙）	代理人	刘勋

摘要

纵向可集成功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括源区，漂移区，沟道区，漏区，栅区，栅介质，连接漏区的漏区引出线与栅区同处于漂移区的上方，连接源区的源区引出线位于漂移区的下方。本发明通过将纵向功率器件的高电平电极与低压电路置于晶圆的同一侧，使纵向功率器件与低压控制电路可以单片集成，从而用纵向可集成的功率器件替代传统的横向功率器件，提高器件的集成功率密度。

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