图案修正方法、曝光掩膜、半导体器件及其制造方法

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专利名称	图案修正方法、曝光掩膜、半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010107016.4	申请日期	2010-01-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-28	公开/公告号	CN101788762A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;4查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	冈干生;小池薰;土屋健介;大沼英寿
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄小临

摘要

一种图案修正方法包括：修正步骤，对具有多个晶体管作为组成元件的半导体电路图案执行图案修正；优先级顺序识别步骤，识别针对优先于修正步骤中的图案修正的多个晶体管而设置的优先级顺序；和条件调整步骤，参考具有在修正步骤中的图案修正中的优先级顺序识别步骤中被识别的高优先级的晶体管，为图案修正调整修正条件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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