具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201611007492.2
IPC分类号：C23C16/44;C23C16/40;C23C16/52;C30B25/16;C30B29/22
申请日期：
2016-11-16
申请人：
上海大学

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著录项信息

专利名称	具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置
申请号	CN201611007492.2	申请日期	2016-11-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-08	公开/公告号	CN106381477A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/44 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	上海大学	申请人地址	上海市宝山区上大路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海大学	当前权利人	上海大学
发明人	杨光;茅潇潇;陈宏飞;刘斌;罗宏杰;高彦峰
代理机构	上海上大专利事务所（普通合伙）	代理人	顾勇华

摘要

本发明公开了一种具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置。采用镧的有机盐和锆的有机盐作为LCVD的前驱体；所得混合前驱体在原料罐中，于335℃～355℃；并在预热至360℃的管道内将其由Ar气体运载至CVD腔体内；同时O2通过另一个独立的管路到达CVD腔体内，并与前驱体一起在腔内的喷嘴出口处混合；接着气体混合后以一定的流速喷向基片，此基片已经有一定的预热温度外加波长976nm的连续激光辐照；最后混合气体在基片表面处遇高温反应，得到LZ沉积在基片上。本发明提供了一种具有柱状晶LZ薄膜的LCVD制备方法，该方法可以以较快的速度、工艺简单、较低的设备成本制备出高质量的柱状晶LZ薄膜，制备出薄膜具有镀膜效率高，镀膜纯度高，膜厚均匀等明显的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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