一种使用MRAM的固态硬盘及读写缓存管理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510177791.X
IPC分类号：G06F3/06
申请日期：
2015-04-15
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种使用MRAM的固态硬盘及读写缓存管理方法
申请号	CN201510177791.X	申请日期	2015-04-15
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105630699A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;6查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号楼二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明提供一种使用MRAM的固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及MRAM，NAND芯片、MRAM分别与主控芯片连接，MRAM包括读写缓存以及缓存表。缓存表包括读写缓存中缓存页的读写权重。本发明提供的固态硬盘及读写缓存管理方法，MRAM包括读写缓存，读写MRAM比读写NAND快得多，因此能够提高固态硬盘的读写性能，同时减少了写NAND次数，延长了NAND的寿命；通过读写权重，将频繁操作的页保留在读写缓存中，从而提高固态硬盘的读写性能；将读、写操作赋予不同的权重值，能够有效减小写回NAND的次数，从而延长NAND的寿命；不再需要使用断电保护系统，降低了固态硬盘的成本，同时降低了功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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