基于模态重分布的MEMS谐振器及其调节方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011642670.5
IPC分类号：H03H9/02;H03H3/007
申请日期：
2020-12-31
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	基于模态重分布的MEMS谐振器及其调节方法
申请号	CN202011642670.5	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112865740A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;3;/;0;0;7查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	贾倩倩;杨晋玲;袁泉;陈泽基;刘文立;杨富华
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	鄢功军

摘要

本公开提供了一种基于模态重分布的MEMS谐振器，包括：衬底；支撑结构，一端固定在所述衬底上；谐振单元，设有调整装置，所述谐振单元与支撑结构的另一端相连；电极，与所述谐振单元电连接，所述电极设置在所述谐振单元的侧面、上表面和/或下表面。本公开针对无线通信系统的不同应用需求，其结构可灵活设置，进而实现了对其性能的优化，有效摆脱了现有光刻精度工艺水平的限制，该MEMS谐振器具备尺寸小、易加工、节省空间等优势，有利于实现集成化、微型化，推动MEMS谐振器在智能传感领域的高端应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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