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有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610167256.7
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;G02F1/136
  • 申请日期:
    2006-12-12
  • 申请人:
    LG.菲利浦LCD株式会社
著录项信息
专利名称有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件
申请号CN200610167256.7申请日期2006-12-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-24公开/公告号CN101060162
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6查看分类表>
申请人LG.菲利浦LCD株式会社申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人乐金显示有限公司当前权利人乐金显示有限公司
发明人崔洛奉;金珉朱
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;祁建国
摘要
本发明公开一种有机半导体结构及其制造方法、使用该有机半导体结构的有机薄膜晶体管及其制造方法以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。有机薄膜晶体管包括形成在基础基板上的氧化物层;设置在氧化物层上的源极,其中源极包括第一源极部分和第二源极部分;设置在氧化物层上的漏极,其中漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分,第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分;具有暴露第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案;通过开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案,其中有机半导体图案具有导电或绝缘特性;覆盖有机半导体图案的栅绝缘层;以及形成在栅绝缘层的与有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极。

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