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真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110776227.5
  • IPC分类号:H01L29/772;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/335;H01L27/085
  • 申请日期:
    2021-07-09
  • 申请人:
    安藤善文;安藤里江子;野口由纪子;高平永美子
著录项信息
专利名称真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置
申请号CN202110776227.5申请日期2021-07-09
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-15公开/公告号CN113506824A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/772
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;5查看分类表>
申请人安藤善文;安藤里江子;野口由纪子;高平永美子申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安藤善文,安藤里江子,野口由纪子,高平永美子当前权利人安藤善文,安藤里江子,野口由纪子,高平永美子
发明人安藤善文
代理机构北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙)代理人吴京顺
摘要
本发明提供一种能够增大源漏间电流的真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置。真空沟道场效应晶体管(100)具有:设置在p型半导体基板(1)上的第一绝缘膜(2)、设置在第一绝缘膜(2)上的栅极(3)、设置在栅极(3)上的第二绝缘膜(4)、设置在第二绝缘膜(4)上的漏极(7)、以及在p型半导体基板(1)的表面上与包括第一绝缘膜(2)、栅极(3)和第二绝缘膜(4)的侧面的侧壁相接而设置的n+杂质扩散层(6)。通过对n+杂质扩散层(6)、栅极(3)和漏极(7)施加规定的电压,从而使得n+杂质扩散层(6)的电荷载流子在面向侧壁的真空中或空气中向漏极(7)移动,由此能够使源漏间的电流增大。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供