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一种半导体结构的制造方法与制造系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011081316.X
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/67
  • 申请日期:
    2020-10-12
  • 申请人:
    晶芯成(北京)科技有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体结构的制造方法与制造系统
申请号CN202011081316.X申请日期2020-10-12
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2020-11-13公开/公告号CN111933573A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人晶芯成(北京)科技有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶芯成(北京)科技有限公司当前权利人晶芯成(北京)科技有限公司
发明人熊小玲;林慧妮;赖韦伶
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人林凡燕
摘要
本发明提出一种半导体结构的制造方法及制造系统,包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底上设置有垫氧化层;形成氮化层于所述垫氧化层上;对所述氮化层,所述垫氧化层和所述半导体衬底进行刻蚀,以形成沟槽,所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中;形成隔离氧化层于所述沟槽中,所述隔离氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部以及所述氮化层;对所述隔离氧化层进行平坦化处理,以形成初始隔离结构;其中,在进行所述平坦化处理时,所述氮化层上残留有所述隔离氧化层;设定所需的浅沟槽隔离结构的台阶高度;通过湿法刻蚀移除部分所述隔离氧化层和所述氮化层,以形成所述浅沟槽隔离结构。本发明形成的浅沟槽隔离结构的台阶高度具有稳定性。

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