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高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810058402.1
  • IPC分类号:C23C14/34
  • 申请日期:
    2008-05-16
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置
申请号CN200810058402.1申请日期2008-05-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-15公开/公告号CN101285169
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人杨滨
代理机构昆明今威专利代理有限公司代理人赵云
摘要
本发明涉及一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置。本装置置于真空镀膜室侧部,除靶位外均设置于真空镀膜室外部,靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接,实现靶位的精确双向转动;该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接,实现靶位的精确轴向往复移动,两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接。本装置可提高靶材利用率60%~100%,通过镶嵌型平面靶获得多组分质量优异的包覆型复合膜和合成膜产品,大幅度降低产品加工和设备维护成本,可提高真空室容积利用率,并节省能源。

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