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双储存卡插槽及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310158848.2
  • IPC分类号:H01R13/46;G06K17/00
  • 申请日期:
    2013-05-02
  • 申请人:
    莫列斯公司
著录项信息
专利名称双储存卡插槽及其制造方法
申请号CN201310158848.2申请日期2013-05-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-10-30公开/公告号CN103378461A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01R13/46IPC分类号H;0;1;R;1;3;/;4;6;;;G;0;6;K;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人莫列斯公司申请人地址
美国伊利诺州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人莫列斯公司当前权利人莫列斯公司
发明人柳尹镐;阳尹喆
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人付永莉;黄艳
摘要
一种双储存卡插槽及其制造方法,双储存卡插槽包括:前面形成有开口的外壳,外壳的一侧形成有微SIM卡连接端子安装部,另一侧形成有微SD卡连接端子安装部;多个微SIM卡连接端子,与微SIM卡连接端子安装部结合,其一侧与微SIM卡连接端接触,另一侧固定在印刷电路板上;多个微SD卡连接端子,与微SD卡连接端子安装部结合,其一侧与微SD卡连接端接触,另一侧固定在印刷电路板上;微SIM卡壳,安装在外壳上部;及微SD卡壳,其相比微SIM卡壳位于相对高的位置;微SIM卡及微SD卡的插入空间的上下部位置,微SIM卡及微SD卡是在同一方向进入和离开的结构,通过一体式端子模块成型微SIM卡连接端子及微SD卡连接端子,之后通过剪切工序分离。本发明能够大幅缩短全长。

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