闪存装置和用于制造该闪存装置的方法

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专利名称	闪存装置和用于制造该闪存装置的方法
申请号	CN200610090551.7	申请日期	2006-06-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-10	公开/公告号	CN1893030
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;8查看分类表>
申请人	东部电子株式会社	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东部电子株式会社	当前权利人	东部电子株式会社
发明人	金荣实
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	朱胜;陈炜

摘要

提供了一种闪存装置及其制造方法，具有保护浮栅和控制栅的侧壁以及防止源区的有源区凹陷的优点。该方法包括：在半导体衬底的有源区上形成隧道氧化物层；在隧道氧化物层上形成浮栅、栅绝缘层和控制栅；在浮栅和控制栅的侧部上形成绝缘侧壁间隔物；以及移除隧道氧化物层和装置隔离层中的至少部分以便暴露有源区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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