基于超材料表面的全介质太赫兹传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110940220.2
IPC分类号：G01J5/20
申请日期：
2021-08-16
申请人：
安徽大学

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著录项信息

专利名称	基于超材料表面的全介质太赫兹传感器
申请号	CN202110940220.2	申请日期	2021-08-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113624349A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器 G01J5/20 用对辐射敏感的电阻器，热敏电阻器或半导体〔1，2006.01〕	IPC分类号	G01J5/20查看分类表>
申请人	安徽大学	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区九龙路1*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽大学	当前权利人	安徽大学
发明人	方明;康美军;冯健;徐珂;肖志成;程荣生;刘星晨;黄志祥
代理机构	江苏长德知识产权代理有限公司	代理人	冯娟

摘要

本发明公开了基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，属于传感器制造技术领域，该传感器包括敏感元件以及与其相连接的热敏电路，所述敏感元件由掺杂导电材料的圆柱半导体构成，用以改变圆柱半导体的电导率，进而可以吸收太赫兹波段的电磁波；本发明基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，传感器的敏感元件所用介质为掺杂的半导体，半导体低产生的热量也很低，因而对周围器件产生的影响很低，并且其结构简单，制作方便，具有较高的灵敏度。