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一种分层组装纳米电极改善二氧化锰超容性能的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011541781.7
  • IPC分类号:H01G11/46;H01G11/30;H01G11/40;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2020-12-23
  • 申请人:
    华东师范大学
著录项信息
专利名称一种分层组装纳米电极改善二氧化锰超容性能的方法
申请号CN202011541781.7申请日期2020-12-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-30公开/公告号CN112735843A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/46IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;4;0;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人华东师范大学申请人地址
上海市闵行区东川路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东师范大学当前权利人华东师范大学
发明人王连卫;曲艺鸿;严晨欢;徐少辉;熊大元
代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司代理人胡永宏
摘要
本发明公开了一种分层组装纳米电极改善二氧化锰超容性能的方法。本发明是为了解决二氧化锰作为超级电容器性能不好的问题。本发明的二氧化锰是生长在已经诱导生长了氮化钛的石墨毡材料上。该发明中分层组装纳米电极的制备方法如下:一、按比例称量、混合原料;二、基底材料浸泡制作种子;三、洗涤、真空干燥;四、水热反应;五、管式炉氮化;六、水热反应;七、洗涤、真空干燥。本发明的优点在于:种子诱导生成的二氧化钛会完全且均匀包覆石墨毡,氮化后生成的氮化钛保留了二氧化钛的形貌,这种氮化钛纳米阵列为后续二氧化锰的生长提供了适宜的环境,生长的二氧化锰纳米片均匀覆盖在氮化钛的表面,从而增加了材料的比表面积。

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