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单晶片磁电阻式存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN200580047202.0
IPC分类号：G11C11/00;G11C11/14;G11C29/00;G11B15/18;G11B15/48;G11B21/02
申请日期：
2005-01-25
申请人：
詹前疆;詹姆斯·C·赖

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单晶片磁电阻式存储器
申请号	CN200580047202.0	申请日期	2005-01-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-20	公开/公告号	CN101128882
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;0;0;;;G;1;1;C;1;1;/;1;4;;;G;1;1;C;2;9;/;0;0;;;G;1;1;B;1;5;/;1;8;;;G;1;1;B;1;5;/;4;8;;;G;1;1;B;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	詹前疆;詹姆斯·C·赖	申请人地址	美国明尼苏达州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北极光股份有限公司	当前权利人	北极光股份有限公司
发明人	詹前疆;詹姆斯·C·赖
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈亮

摘要

一种单晶片有一底材与至少一磁电阻式存储器层。此底材有一个铺在底层的存储器与一个控制单元。此磁电阻式存储器层放置在底材上，且具有由控制电路所控制的多个磁电阻式随机存取存储器单元。

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