半导体二极管端面泵浦模块、及其制造方法和具有其的激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN201410176487.9
IPC分类号：H01S3/0941;H01S3/02
申请日期：
2014-04-29
申请人：
苏州德龙激光股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体二极管端面泵浦模块、及其制造方法和具有其的激光器
申请号	CN201410176487.9	申请日期	2014-04-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-16	公开/公告号	CN103928832A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S3/0941 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S3/00 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件（半导体激光器入H01S 5/00） H01S3/09 激励的方法或装置，例如泵激励 H01S3/091 应用光泵的〔2〕 H01S3/094 利用相干光〔2〕 H01S3/0941 半导体激光器，例如激光二极管的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;S;3;/;0;9;4;1;;;H;0;1;S;3;/;0;2查看分类表>
申请人	苏州德龙激光股份有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区苏虹中路77号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州德龙激光股份有限公司	当前权利人	苏州德龙激光股份有限公司
发明人	赵裕兴;李立卫
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明提供一种半导体二极管端面泵浦模块，包括：半导体二极管泵浦源，用于产生泵浦光；准直聚焦单元，所述准直聚焦单元用于将所述泵浦光准直并聚焦至一激光晶体内；晶体安装座，其上设置有用于安装所述激光晶体的通孔，所述通孔内壁镀有反射层，其中，自所述激光晶体内发散的泵浦光可被所述反射层反射回所述激光晶体内再次吸收。与现有技术相比，本发明通过在晶体安装座的通孔内壁上度反射层，使得经过反射的泵浦光在整个晶体内部完成多次吸收，大大增加了泵浦光与基模震荡光的重叠率，提升了泵浦光的利用效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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