半导体封装装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110294933.6
IPC分类号：H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
申请日期：
2021-03-19
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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专利名称	半导体封装装置及其制造方法
申请号	CN202110294933.6	申请日期	2021-03-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113066790A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/16 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	刘旭唐;张皇贤;黄敏龙
代理机构	北京植德律师事务所	代理人	唐华东

摘要

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该一种半导体封装装置包括：重布线层，包括至少一层重布线线路；第一芯片和第二芯片，位于重布线层的上表面；第一芯片和第二芯片之间的重布线线路存在竖直方向上的高度变化。本公开的半导体封装装置及其制造方法增大了重布线线路的总长度和表面积，提高了重布线线路抵抗应力的能力，能够有效避免第一芯片和第二芯片之间的重布线线路发生断裂，进而提高产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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