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一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020767431.1
  • IPC分类号:H02P7/285
  • 申请日期:
    2020-05-11
  • 申请人:
    中科芯集成电路有限公司
著录项信息
专利名称一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路
申请号CN202020767431.1申请日期2020-05-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02P7/285IPC分类号H;0;2;P;7;/;2;8;5查看分类表>
申请人中科芯集成电路有限公司申请人地址
江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区04-6地块(滴翠路100号)9幢2层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中科芯集成电路有限公司当前权利人中科芯集成电路有限公司
发明人吴珏
代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路,包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机,所述U线上桥驱动电路包括电容CD11,电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源,另一端接在电机相线上;所述U线下桥驱动电路包括NPN晶体管Q12和PNP晶体管Q24,所述NPN晶体管Q12的集电极与PNP晶体管Q24的基极连接,所述NPN晶体管Q12的集电极通过电阻R135连接15V电源,NPN晶体管Q12的发射极通过电阻R141接通有U相驱动信号。本实用新型,使用N沟道的MOS管代替P沟道的MOS管,节省了企业的成本,而且通过设置电容CD11和N‑MOS管V1电机绕组实现快速充电,为下个周期做准备。

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