一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110212399.X
IPC分类号：G01R29/12;G01R1/18
申请日期：
2021-02-25
申请人：
西安理工大学

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专利名称	一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法
申请号	CN202110212399.X	申请日期	2021-02-25
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113009242A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R29/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R29/00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各组中的电量的测量或指示装置 G01R29/12 静电场的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;9;/;1;2;;;G;0;1;R;1;/;1;8查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	张嘉伟;刘朝辉;王力;汝艳
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置包括磁屏蔽桶，放置在磁屏蔽桶内且与磁屏蔽桶相连接的磁屏蔽结构，磁屏蔽桶的两端设有桶盖，桶盖上设有换气孔和出线孔，磁屏蔽结构包括三轴阵列式磁通门、铜板、接地线，铜板放置在磁屏蔽桶内，铜板上放置测试样品，测试样品上放置三轴阵列式磁通门。一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法，包括打开桶盖，将经过表面放电处理的测试样品放置于铜板之上，然后将三轴阵列式磁通门放置于测试样品之上，关闭桶盖进行测试样品表面的电势分布的测量；最后测量结果可通过数据传输线传输到电脑上进行后续分析。本发明具有测量精度高、结构简单、抗干扰能力强、操作简单等优点。

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