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薄膜晶体管及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610029742.6
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/786;H01L29/08
  • 申请日期:
    2016-01-14
  • 申请人:
    信利(惠州)智能显示有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及制备方法
申请号CN201610029742.6申请日期2016-01-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-03-23公开/公告号CN105428244A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人信利(惠州)智能显示有限公司申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人信利(惠州)智能显示有限公司当前权利人信利(惠州)智能显示有限公司
发明人胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人邓云鹏
摘要
一种薄膜晶体管的制备方法,包括在半导体层上形成栅极金属层,在所述栅极金属层上形成光刻胶层,通过构图工艺,使所述栅极金属层形成伪栅极;以所述伪栅极为掩膜,对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺,形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区;对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理,以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同,刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域,形成栅极;以所述栅极为掩膜,对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺,形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区。上述薄膜晶体管的制备方法,只需要一次图形化工艺即可实现源漏极重掺杂区、栅极、源漏极轻掺杂区的制作,相比于常规工艺可以减少工艺成本,缩短工艺时间。

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