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具有边缘击穿抑制的雪崩光电二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810132127.3
  • IPC分类号:H01L31/07;H01L31/18
  • 申请日期:
    2008-07-18
  • 申请人:
    JDS尤尼弗思公司
著录项信息
专利名称具有边缘击穿抑制的雪崩光电二极管
申请号CN200810132127.3申请日期2008-07-18
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-01-21公开/公告号CN101350376
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/07
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人JDS尤尼弗思公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗美通运营有限责任公司当前权利人朗美通运营有限责任公司
发明人潘忠;大卫·维纳布尔斯;克雷格·西斯那
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人郑小粤
摘要
本发明涉及一种雪崩光电二极管,其通过修正扩散的p-n结分布而具有改进的增益均匀性。该修正通过两级掺杂过程获得,该两阶段掺杂过程包括结合常规气体源扩散的固体源扩散。对该固体源扩散材料进行选取,以将该固体源扩散材料对掺杂剂的溶度与倍增层对该掺杂剂的溶度相比较。该固体源直径介于第一及第二扩散窗之间。因此,在第二扩散期间,存在三个不同扩散区。边缘区倍增层内的掺杂剂,中间区自具有相对较高掺杂浓度的固体源材料的掺杂剂(由该固体源材料内的掺杂剂溶度限制),以及中心区暴露于自固体源材料的无限扩散源,因为它不断地从外在气体源补充新的掺杂剂。结果,从该器件的中心到边缘,掺杂浓度和扩散深度逐渐减小。该修正的扩散分布使电场分布可以控制,从而抑制边缘击穿。

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