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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

双极型晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01804324.0
  • IPC分类号:H01L29/73;H01L29/08
  • 申请日期:
    2001-01-24
  • 申请人:
    因芬尼昂技术股份公司
著录项信息
专利名称双极型晶体管
申请号CN01804324.0申请日期2001-01-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-02-12公开/公告号CN1397094
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/73
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人因芬尼昂技术股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人因芬尼昂技术股份公司当前权利人因芬尼昂技术股份公司
发明人K·奥芬格;M·蔡勒;J·贝克
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人郑立柱;张志醒
摘要
本发明涉及一种双极型晶体管(10),通过优化布图,使基极—集电极电容和集电极电阻的乘积减小,因此能提高这些重要的晶体管参数。双极型晶体管(10)包括几个发射极元件组成的发射极(E)(22,25,26),几个基极接头(B)(40,41)和几个集电极接头(C)(50)。所述元件按照规定的顺序设置,以形成晶体管布图。根据本发明该发射极(20)有至少一个闭合区(21),该发射极区(21)界定至少一个内部发射极区域(27),它可分成几个子区域(28)。至少一个基极接头(41)设置在发射极内部区域(27)中。至少一个基极接头(40)和集电极接头(50)设置在发射极区(21)的外部。

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