高氮氮化钽粉末的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410023088.5
IPC分类号：C01B21/06
申请日期：
2004-04-07
申请人：
株洲硬质合金集团有限公司

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著录项信息

专利名称	高氮氮化钽粉末的制备方法
申请号	CN200410023088.5	申请日期	2004-04-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-12	公开/公告号	CN1562734
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B21/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B21/00 氮；其化合物 C01B21/06 氮与金属、硅或硼的二元化合物	IPC分类号	C;0;1;B;2;1;/;0;6查看分类表>
申请人	株洲硬质合金集团有限公司	申请人地址	湖南省株洲市荷塘区钻石路48号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株洲硬质合金集团有限公司	当前权利人	株洲硬质合金集团有限公司
发明人	潘泽强;王时光;杨声海;何坤池
代理机构	长沙永星专利事务所	代理人	周咏

摘要

本发明提供了一种高氮氮化钽粉末的制备方法，包括将钽粉装入真空反应容器中，抽真空至压力＜0.1Pa后充入纯度≥99.999%的高纯氮气，保持氮气压力为0.02～0.16Mpa，同时升温到700～1200℃并保温5～12小时，然后冷却到室温后将反应产物破碎、过筛，经酸洗去除杂质，再水洗至溶液pH值为中性后烘干，所制得的高氮氮化钽粉末中氮含量为6.8～7.39%；由于采用普通真空反应容器且反应温度在1200℃以下，大大节约了设备投资和能源成本，操作方便，易于实现工业化生产，制得的氮化钽粉末氮含量≥6.8%，在半导体、集成电路中的应用得到了进一步的扩展。

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