一种TE模介质谐振器与金属谐振器的耦合结构及滤波器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821455914.7
IPC分类号：H01P1/208
申请日期：
2018-09-06
申请人：
武汉凡谷电子技术股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种TE模介质谐振器与金属谐振器的耦合结构及滤波器
申请号	CN201821455914.7	申请日期	2018-09-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/208 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器 H01P1/207 空腔波导滤波器（H01P 1/212，H01P 1/213，H01P 1/215，H01P 1/219优先）〔3〕 H01P1/208 级联谐振腔；在空腔波导结构中的级联谐振器（H01P 1/205优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;0;8查看分类表>
申请人	武汉凡谷电子技术股份有限公司	申请人地址	湖北省武汉市江夏区光谷大道藏龙岛九凤街5号凡谷电子工业园4号楼2楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉凡谷电子技术股份有限公司	当前权利人	武汉凡谷电子技术股份有限公司
发明人	王文珠;许建军
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司	代理人	黄行军

摘要

本实用新型公开了一种TE模介质谐振器与金属谐振器的耦合结构及滤波器。它包括腔体和固定于腔体顶部的盖板，所述腔体内设有相邻的介质谐振腔和金属谐振腔，介质谐振腔和金属谐振腔内分别设置介质谐振杆和金属谐振杆，所述腔体内还设有增强耦合装置，所述介质谐振腔和金属谐振腔之间的腔壁上设有耦合窗口，所述增强耦合装置穿过耦合窗口，增强耦合装置一端位于介质谐振腔内且固定于介质谐振腔底部，增强耦合装置另一端位于金属谐振腔内且固定于金属谐振腔底部。本实用新型有效地实现了TE模介质谐振器与金属谐振器之间的能量传输，显著提高滤波器的性能同时减小其体积，具有结构简单、制造成本低、使用安装方便、性能可靠的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供