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一种高纯涂层式多晶硅坩埚及其涂层的涂刷方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510576916.6
  • IPC分类号:C30B28/06;C30B29/06
  • 申请日期:
    2015-09-12
  • 申请人:
    无锡舜阳新能源科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高纯涂层式多晶硅坩埚及其涂层的涂刷方法
申请号CN201510576916.6申请日期2015-09-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-12-16公开/公告号CN105154971A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B28/06IPC分类号C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡舜阳新能源科技股份有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市长泾镇工业集中区兴园路123号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡舜阳新能源科技股份有限公司当前权利人无锡舜阳新能源科技股份有限公司
发明人钟伟;陆文研
代理机构江阴大田知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨新勇
摘要
本发明涉及一种高纯涂层式多晶硅坩埚及其涂层的涂刷方法,包括坩埚本体,在坩埚本体的表面均布有若干个凹坑或环形凹槽,在表面依次附着有第一氮化层、第二氧化层和第三氮化层;将乳桨状的第一氮化层刷涂在坩埚本体的表面,将第二氧化层粉末状的氧化硅喷出在乳桨的表面,再通过喷涂方式将雾状的氮化硅喷涂于第二氧化层的表面,直至第二氧化层的颗粒被覆盖,第三氮化层形成光滑面。所述高纯涂层式多晶硅坩埚及其涂层的涂刷方法具有涂层覆盖能力强,稳定性高,具有高隔离度,防止坩埚本体在制备多晶硅过程中参与反应的特点。

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