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CMOS管恒定比例电流镜

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310424301.2
  • IPC分类号:G05F3/26
  • 申请日期:
    2013-09-18
  • 申请人:
    何阳
著录项信息
专利名称CMOS管恒定比例电流镜
申请号CN201310424301.2申请日期2013-09-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-03-25公开/公告号CN104460820A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/26IPC分类号G;0;5;F;3;/;2;6查看分类表>
申请人何阳申请人地址
四川省成都市武侯区一环路南一段24号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人何阳当前权利人何阳
发明人何阳
代理机构暂无代理人暂无
摘要
CMOS管恒定比例电流镜,包括镜像管,其特征在于:还包括与镜像输入管连接的第一隔离管(3),与镜像输出管连接的第二隔离管(4),所述第一隔离管和第二隔离管的栅极都与输入端(1)连接,第一隔离管的漏极与输入端之间还有调压电阻(5),第二隔离管的漏极连接输出端(2)。采用本发明所述CMOS管恒定比例电流镜,利用层叠管对镜像管源漏电压的差值进行了稳定,沟道长度调制效应被屏蔽,使电流镜的电流复制精度提高,适用于CMOS工艺下的大比例电流复制。

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