在电极上设有导电体突出部的介质阻挡放电式的等离子产生电极结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201380037414.5
IPC分类号：H01T19/04;H01T23/00
申请日期：
2013-06-27
申请人：
SP技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在电极上设有导电体突出部的介质阻挡放电式的等离子产生电极结构
申请号	CN201380037414.5	申请日期	2013-06-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-01	公开/公告号	CN104756334A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01T19/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01T 火花隙；应用火花隙的过压避雷器；火花塞；电晕装置；产生被引入非密闭气体的离子（过压保护电路入H02H） H01T19/00 电晕放电装置（用于对电刻元件充电的装置入G03G 15/02）〔4〕 H01T19/04 具有尖形电极的	IPC分类号	H;0;1;T;1;9;/;0;4;;;H;0;1;T;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	SP技术有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	SP技术有限公司	当前权利人	SP技术有限公司
发明人	孙熙植
代理机构	中国商标专利事务所有限公司	代理人	宋义兴;赵婷

摘要

本发明提供介质阻挡放电式等离子产生电极结构。本发明的电极结构包括：上部导电电极和下部导电电极；至少一个导电电极突出部，形成于所述上部导电电极和/或下部导电电极的至少一个表面上；电介质层，以大体上均匀的厚度形成于彼此相向设置的所述上部导电电极和下部导电电极至少一个内侧表面；特定的间隔(d)，当所述上部导电电极和下部导电电极彼此紧密接触时，借助于所述导电电极突出部的突起效果，该间隔(d)形成于所述上部和下部导电电极与介电层之间或形成于彼此相向设置的介电层之间；在所述上部导电电极和下部导电电极上施加脉冲或交流电源以产生等离子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供