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碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911089381.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-11-08
  • 申请人:
    株洲中车时代电气股份有限公司
著录项信息
专利名称碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件
申请号CN201911089381.4申请日期2019-11-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-11公开/公告号CN112786679A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人株洲中车时代电气股份有限公司申请人地址
湖南省株洲市石峰区时代路169号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株洲中车时代电气股份有限公司当前权利人株洲中车时代电气股份有限公司
发明人戴小平;王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉
代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司代理人吴大建;张杰
摘要
本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件。该碳化硅MOSFET器件的元胞结构包括:位于元胞结构两侧且在所述漂移层表面内设置的第二导电类型阱区、位于所述阱区表面内的第一导电类型源区和位于元胞结构中心且与所述源区、所述阱区以及所述漂移层接触的栅结构。还包括位于所述源区上方且与所述源区形成欧姆接触的源极金属层,在元胞结构两侧,所述漂移层于其未被所述阱区覆盖的区域向下设置有侧部沟槽,所述侧部沟槽中设置有与所述侧部沟槽下方的所述漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。本公开通过在碳化硅MOSFET器件的元胞结构级别集成了SBD,改善碳化硅双极退化现象,提高芯片可靠性,并降低模块封装成本、提高模块电气特性。

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