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金属膜半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03119603.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-03-14
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	金属膜半导体器件及其制造方法
申请号	CN03119603.9	申请日期	2003-03-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-17	公开/公告号	CN1482655
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李钟鸣;朴仁善;全宗植
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	谢丽娜;谷惠敏

摘要

一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。

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