半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910295450.0
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2019-04-12
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN201910295450.0	申请日期	2019-04-12
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-23	公开/公告号	CN111816555A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	王楠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	吴敏

摘要

本发明提供半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述鳍部的侧壁上形成侧墙，位于所述稀疏区的相邻所述鳍部的所述侧墙之间形成有开口；在所述衬底上形成半导体层，所述半导体层覆盖所述鳍部以及所述侧墙，且所述半导体层填充满所述开口；刻蚀去除所述开口内的所述半导体层，直至暴露出所述衬底；本发明利用侧墙预先定义了进行伪栅结构切割形成开口的位置，保证了所述开口到所述鳍部之间具有足够距离，在后续将伪栅结构换成金属栅极结构的时，能够避免金属材料之间形成空隙，便于提高半导体器件使用性能的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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