双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810150639.2
IPC分类号：H01J1/304;H01J9/02
申请日期：
2008-08-15
申请人：
西安交通大学

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专利名称	双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法
申请号	CN200810150639.2	申请日期	2008-08-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-07	公开/公告号	CN101339872
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/304 场致发射阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	朱长纯;商世广
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陈翠兰

摘要

本发明公开了一种双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法。采用Ti纳米粉体掺混制备CNT复合浆料，通过丝网技术印刷出单层Ti掺混结构的CNT阴极薄膜。通过两步烧结工艺，形成上层为TiO2掺混、下层为Ti掺混结构的双层掺混结构CNT复合薄膜阴极。在复合薄膜阴极的表层，导电的Ti转化为非导电的介质材料TiO2；降低了CNT相互接触而产生屏蔽效应，有利于CNT发射体增强因子的增加。在复合薄膜阴极的底部，掺混纳米材料Ti增加了CNT相互之间、CNT与衬底之间的接触面积，降低了导电电极层与CNT层的接触电阻，提高复合薄膜阴极下层CNT本身的电子传输性能。

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