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SiC单晶的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200980159593.3
IPC分类号：C30B29/36;C30B15/14;C30B19/04
申请日期：
2009-07-17
申请人：
丰田自动车株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SiC单晶的制造方法
申请号	CN200980159593.3	申请日期	2009-07-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-09	公开/公告号	CN102449208A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;1;5;/;1;4;;;C;3;0;B;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人	丰田自动车株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	丰田自动车株式会社	当前权利人	丰田自动车株式会社
发明人	旦野克典;关章宪;斋藤广明;河合洋一郎
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	段承恩;常殿国

摘要

本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。

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