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具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120060225.8
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/739
  • 申请日期:
    2011-03-10
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元
申请号CN201120060225.8申请日期2011-03-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人张海鹏;齐瑞生;汪洋;赵伟立;刘怡新;吴倩倩;孔令军
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人杜军
摘要
本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区,p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层和n型轻掺杂漂移区,在n型轻掺杂漂移区顶部两侧分别嵌入第一p型阱区和n型缓冲区,第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区,n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区,第二p型阱区顶部嵌入第二p阱欧姆接触区;器件单元顶部设置有第一场氧化层、第二场氧化层、阳极金属电极和阴极金属电极。本实用新型降低了扩展电阻,改善了漂移区电导调制效应,降低了通态功耗,并明显改善器件的热特性。

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