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一种磁控溅射靶材与基底中心对正装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020139204.4
  • IPC分类号:C23C14/35;C23C14/50
  • 申请日期:
    2020-01-21
  • 申请人:
    浙江工业大学
著录项信息
专利名称一种磁控溅射靶材与基底中心对正装置
申请号CN202020139204.4申请日期2020-01-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;0查看分类表>
申请人浙江工业大学申请人地址
浙江省杭州市下城区朝晖六区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江工业大学当前权利人浙江工业大学
发明人鲁聪达;丁杰;马毅;黄先伟;俞越翎;张泰华
代理机构杭州浙科专利事务所(普通合伙)代理人吴秉中
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射靶材与基底中心对正装置,包括倾角调节装置及设置在倾角调节装置上的靶材溅射装置,所述倾角调节装置包括固定底座及活动设置在固定底座上的转动底座,所述靶材溅射装置包括靶材安装溅射头,所述靶材安装溅射头底部设有连接轴,并通过连接轴与转动底座固定连接。本实用新型的有益效果:本实用新型设计巧妙,结构合理,使用方便,应用本装置实现靶材与基底的中心对正,大幅度简化了实验者的观察操作过程,降低了镀膜效率的实际值与理论值之间的误差,且节约了靶材,对纳米多层薄膜的制备研究领域具有重要的意义。

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