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一种利用化学刻蚀露出TSV头部的方法及相应器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310276354.4
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/48
  • 申请日期:
    2013-07-01
  • 申请人:
    华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种利用化学刻蚀露出TSV头部的方法及相应器件
申请号CN201310276354.4申请日期2013-07-01
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2013-10-09公开/公告号CN103346120A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请人地址
江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司当前权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人王磊;张文奇
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮
摘要
本发明公开了一种利用化学刻蚀露出TSV头部的方法及相应器件,提供至少嵌入一个TSV结构的衬底,将衬底减薄至距TSV头部一定厚度,且TSV头部未从衬底背面露出,化学刻蚀先制作对准标记,再利用该对准标记刻蚀形成TSV凹穴,使导电填充层显露,接着在衬底背面和TSV凹穴内沉积介质层,最后可根据需求进行阻挡层、种子层、金属化、集成等工艺。该方法使得刻蚀量减少98%,刻蚀速度大幅提高;对TSV孔内金属无腐蚀无氧化;避免使用底填材料,无需钝化层,有效降低成本,同时可实现同种衬底材料接触,热膨胀系数的一致性可大大降低制作过程中应力造成的诸如翘曲、开裂等负面影响,同时保证其机械强度,最终提高产品良率。

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