改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810062556.1
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
申请日期：
2018-01-23
申请人：
西安龙腾新能源科技发展有限公司

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专利名称	改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法
申请号	CN201810062556.1	申请日期	2018-01-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-03	公开/公告号	CN108364870A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	西安龙腾新能源科技发展有限公司	申请人地址	陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	龙腾半导体股份有限公司,西安龙翔半导体有限公司,旭矽半导体（上海）有限公司	当前权利人	龙腾半导体股份有限公司,西安龙翔半导体有限公司,旭矽半导体（上海）有限公司
发明人	周宏伟;杨乐;刘挺;岳玲
代理机构	西安新思维专利商标事务所有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法，通过在深槽内填充并回刻蚀多晶硅，使两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用氧化层淀积加厚栅极源极间氧化层，最后通过栅极热氧化和多晶硅淀积，共同构成屏蔽栅沟槽器件。本发明通过一次能氧化层各向异性淀积的特殊条件高密度等离子体化学气相淀积对栅极源极间氧化层厚度和形貌进行调整，可形成高质量栅极源极间氧化层，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善源极多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量，优化产品的参数，提高成品率和可靠性，最终达到降低芯片成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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