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半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010149892.3
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2010-04-19
  • 申请人:
    福建欧德生光电科技有限公司
著录项信息
专利名称半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法
申请号CN201010149892.3申请日期2010-04-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-20公开/公告号CN102024870A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人福建欧德生光电科技有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福建欧德生光电科技有限公司,北京精诚铂阳光电设备有限公司当前权利人福建欧德生光电科技有限公司,北京精诚铂阳光电设备有限公司
发明人林朝晖;李晓常
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法,能够在热化学反应生成化合物薄膜的过程中提供连续、平稳的热化学变温反应条件,特别适合于高量产、连续、稳定可控地制造铜铟镓硒多晶薄膜太阳能电池的吸收层。

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