一种MEMS气体传感器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410397034.9
IPC分类号：G01N27/00;B81B7/00;B81C1/00
申请日期：
2014-08-13
申请人：
苏州能斯达电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS气体传感器及其制作方法
申请号	CN201410397034.9	申请日期	2014-08-13
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-03	公开/公告号	CN104181203A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州能斯达电子科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区若水路398号C517 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州能斯达电子科技有限公司	当前权利人	苏州能斯达电子科技有限公司
发明人	祁明锋;沈方平;刘瑞;丁海燕;谷文
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	郝传鑫

摘要

本发明涉及气体检测技术领域，具体涉及一种MEMS气体传感器，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且向下具有厚度；绝热槽，倒扣形成于单晶硅衬底的下表面，绝热槽底面位于多孔硅层的正下方，绝热槽包括一个或多个沟槽组；下绝缘层，覆盖多孔硅层及单晶硅衬底的上表面，下绝缘层由下到上依次包括第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层和气体敏感层，还相应公开了所述MEMS气体传感器的制作方法。本发明中多孔硅和隔热槽的结构增强了隔热效果，下绝缘层有效防止在高温下隔热层发生翘曲脱离加热层，同时多孔硅层的支撑防止下绝缘层受力不均引起变形破裂，提高器件的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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