一种亚稳态石墨烯薄膜的制备方法

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专利名称	一种亚稳态石墨烯薄膜的制备方法
申请号	CN202010563718.7	申请日期	2020-06-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-15	公开/公告号	CN111661840A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/184 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;8;4查看分类表>
申请人	杭州高烯科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市余杭区良渚海虹新材料科技园一楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州高烯科技有限公司	当前权利人	杭州高烯科技有限公司
发明人	彭蠡;高超
代理机构	杭州华宸联名知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	黄欢娣

摘要

本发明公开了一种亚稳态石墨烯薄膜的制备方法，此方法利用简单的热力学手段，通过烧结温度和时间调控，得到了趋向于30度堆叠角度的石墨烯薄膜结构。此薄膜兼具石墨材料稳定性和乱层石墨或者石墨烯的弱耦合电子云状态。此薄膜尤其适用于高性能光电器件、快速高容量存储器件、以及电池电容器等储能器件的应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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