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一种高耐电场强度、高储能密度的NBT-BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011412077.1
  • IPC分类号:C04B35/475;C04B35/622
  • 申请日期:
    2020-12-03
  • 申请人:
    西南大学
著录项信息
专利名称一种高耐电场强度、高储能密度的NBT-BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法
申请号CN202011412077.1申请日期2020-12-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-03-02公开/公告号CN112430084A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/475IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;7;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人西南大学申请人地址
重庆市北碚区天生路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南大学当前权利人西南大学
发明人吕静雯;李洋;严岩;李权;刘岗
代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及一种高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法,属于介电陶瓷材料制备技术领域。本本发明公开了一种化学组成为0.6(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.4(Sr0.7Bi0.2TiO3)‑0.1%Dy2O3(简写为NBT‑BT‑40SBT‑Dy)的高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料。本发明的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料具有以下性能(1)电滞回线形状纤细,表现出弛豫铁电体的特征,耐电场强度可以达到270kV/cm;(2)总储能密度和有效储能密度随电场的增加而增大;(3)储能效率在73%以上。

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