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半导体电容器结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910156374.5
IPC分类号：H01L23/522;H01L27/108
申请日期：
2019-03-01
申请人：
南亚科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体电容器结构及其制备方法
申请号	CN201910156374.5	申请日期	2019-03-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-03-17	公开/公告号	CN110890342A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	黄仲麟
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	黄艳

摘要

本公开提供一种半导体电容器结构及其制备方法。该半导体电容器结构包括一基底；一梳状底部电极，设置于该基底的上方；一顶部电极，设置于该梳状底部电极的上方；以及一介电层，夹于该顶部电极及该梳状底部电极之间。该梳状底部电极包括多个齿部及一支撑部分，该多个齿部平行于该基底，该支撑部分耦接至该多个齿部并且垂直于该基底。

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